三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的认证测试，将用于下一代AI加速器的关键内存栈。该产品采用12层堆叠设计，单颗容量达36GB，数据传输速率高达9.6Gbps，相比上一代HBM3能效提升约20%。三星表示，通过优化热管理工艺和先进的硅通孔技术，HBM3E可在高负载AI训练任务中稳定运行，显著降低延迟。业内分析认为，此举将打破SK海力士在HBM市场的垄断格局，为全球AI芯片供应链提供更多选择。目前三星已开始向英伟达批量供货，预计下半年搭载于H200及后续GPU中。
来源：三星官方新闻