长鑫存储宣布DDR5内存芯片良率突破95%

长鑫存储近日宣布其自主研发的DDR5内存芯片良率已成功突破95%，达到行业领先水平。这一里程碑意味着国产高端存储芯片在制造工艺与稳定性上实现质的飞跃，将有效缓解全球DDR5供应紧张局面。据悉，该芯片采用先进制程与优化的电路设计，功耗降低约15%，数据传输速率提升至6400Mbps，可广泛应用于服务器、数据中心及高性能PC领域。此次良率突破不仅巩固了长鑫存储在半导体领域的竞争力，也为我国数字基础设施自主可控提供了关键支撑。来源：IT之家