我国光子芯片制造技术获重大突破 良率提升至85%

近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所宣布，其团队在光子芯片制造工艺上取得重要进展。通过优化自动光学检测系统的设置参数，研究人员成功将光子芯片的良率提升至85%以上，这一成果填补了国内在高性能光子芯片量产环节的空白。

该技术突破有望大幅降低光子芯片的生产成本，加速其在光通信、数据中心、量子计算等前沿领域的商业化进程。研究团队表示，新工艺已通过多轮严苛测试，并计划在年内实现小批量试产，为我国下一代信息技术产业提供关键支撑。

相关成果已于近期发表在国际权威期刊上，并获得了多家半导体企业的合作意向。