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  • 国产半导体光刻机技术新进展:上海微电子实现90nm量产突破

    近期,国产半导体光刻机技术取得重大突破,上海微电子装备集团(SMEE)宣布其自主研发的90nm节点光刻机已通过客户验证并进入量产阶段。这一进展标志着中国在高端芯片制造核心设备领域迈出关键一步,对产业链自主可控具有里程碑意义。

    核心技术与功能

    该光刻机采用193nm ArF浸没式光源配合多重图形化技术,可稳定实现90nm线宽。相较于前代产品,在套刻精度、晶圆吞吐量和良率方面均有显著提升。其双工件台系统实现了高速高精度对准,降低了工艺偏差。

    关键优势

    • 完全自主研发:核心光学系统、运动控制及软件均实现国产化,规避外海出口管制风险。
    • 成本优势:相比同等进口设备,整机成本降低约30%,运维服务响应更快。
    • 生态兼容:支持主流光刻胶及掩模版工艺,可无缝对接国内成熟制程产线。

    应用场景

    该设备主要面向模拟芯片、功率半导体、传感器及部分逻辑芯片的生产,广泛应用于新能源汽车、工业控制、物联网终端等领域。目前已有超过10家晶圆厂完成导入,月产能规划突破5000片。

    使用与部署

    客户可通过上海微电子官网提交定制化需求,其技术团队提供现场安装调试、工艺验证及长期维护服务。设备支持远程监控与AI辅助诊断,可显著降低停机时间。

    更多官方信息请访问:上海微电子官方网站

    行业影响与前景

    随着90nm光刻机量产,国内半导体产业在成熟制程环节的对外依赖度进一步降低。据行业分析师预测,2025年下半年SMEE有望推出65nm节点样机,为先进封装及特种工艺提供新选择。这一突破加速了国产芯片供应链的自主闭环进程。

  • 国产半导体设备企业突破14nm工艺 获多家晶圆厂订单

    近日,国产半导体设备领域迎来重大突破。多家本土设备企业官宣其核心设备已成功应用于14nm逻辑芯片制造工艺,并获得来自中芯国际、华虹半导体等主流晶圆厂的重复订单。这标志着中国在高端半导体设备自主化道路上迈出关键一步,国产设备从“能用”走向“好用”,正加速替代进口。

    此次突破的主力设备包括等离子体刻蚀机、薄膜沉积设备和光刻机配套系统。据企业披露,14nm工艺节点的良率已通过客户验证,部分设备在关键性能指标上甚至优于海外同类产品。市场分析人士认为,随着国产设备在成熟制程和先进制程上的双线渗透,中国半导体产业链的韧性将显著增强,同时有望降低下游晶圆厂的建厂成本和供应风险。

    目前,相关企业已启动扩产计划,以应对持续增长的订单需求。业内人士预计,2025年国产半导体设备在国内市场的占有率将从目前约20%提升至30%以上,14nm及以下工艺设备将成为新一轮增长引擎。

    来源:第一财经

  • 长鑫存储宣布DDR5内存芯片良率突破95%

    长鑫存储近日宣布其自主研发的DDR5内存芯片良率已成功突破95%,达到行业领先水平。这一里程碑意味着国产高端存储芯片在制造工艺与稳定性上实现质的飞跃,将有效缓解全球DDR5供应紧张局面。据悉,该芯片采用先进制程与优化的电路设计,功耗降低约15%,数据传输速率提升至6400Mbps,可广泛应用于服务器、数据中心及高性能PC领域。此次良率突破不仅巩固了长鑫存储在半导体领域的竞争力,也为我国数字基础设施自主可控提供了关键支撑。来源:IT之家